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Si7403BDN
Vishay Siliconix
TYPICAL CHARACTERISTICS
20
T J = 150 °C
25 °C, unless otherwise noted
0.30
0.25
I D = 5.1 A
10
0.20
T J = 25 °C
0.15
T A = 125 °C
0.10
T A = 25 °C
0.05
1
0.00
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
0
1
2
3
4
5
0.8
0.7
0.6
0.5
0.4
0.3
V SD - Source-to-Drain Voltage (V)
Source-Drain Diode Forward Voltage
I D = 250 μA
30
25
20
15
5
0
V GS - Gate-to-Source Voltage (V)
On-Resistance vs. Gate-to-Source Voltage
- 50
- 25
0
25
50
75
100
125
150
0.001
0.01
0.1
1
10
100
1000
T J - Temperature (°C)
Threshold Voltage
100
10
1
Limited by R DS(on) *
Time (s)
Single Pulse Power, Junction-to-Ambient
100 μs
1 ms
10 ms
100 ms
0.1
0.01
0.1
T A = 25 °C
Single Pulse
1
1s
10 s
DC
10 100
V DS - Drain-to-Source Voltage (V)
* V GS > minimum V GS at which R DS( on) is specified
Safe Operating Area, Junction-to-Ambient
Document Number: 73333
S-83051-Rev. B, 29-Dec-08
www.vishay.com
5
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